0201 封裝肖特基二極管（SS14）體積 0.6mm×0.3mm，重量不足 0.01g，用于 TWS 耳機充電倉時，可在有限空間內實現 5V/1A 整流，效率達 93%。ESD5481MUT 保護二極管（SOT-143 封裝）可承受 20kV 人體靜電沖擊，在手機 USB-C 接口中信號損耗＜0.5dB，保障 5Gbps 數據傳輸的穩定性。 汽車電子：高可靠與寬溫域的挑戰 AEC-Q101 認證的 MBRS340T3 肖特基二極管（3A/40V），支持 - 40℃~+125℃溫度循環 1000 次以上，漏電流增幅＜10%，用于車載發電機整流時效率達 85%。碳化硅二極管集成于 800V 電驅平臺后，可承受 1200V 母線電壓，支持電動車超快充（10 分鐘補能 80%），同時降低電驅系統 30% 能耗，續航里程提升 15%。碳化硅二極管耐高壓高溫，適配新能源汽車與光伏。寶安區本地二極管歡迎選購

發光二極管基于半導體的電致發光效應，當 PN 結正向導通時，電子與空穴在結區復合，釋放能量并以光子形式發出。半導體材料的帶隙寬度決定發光波長：例如砷化鎵（帶隙較窄）發紅光，氮化鎵（帶隙較寬）發藍光。通過熒光粉轉換技術（如藍光激發黃色熒光粉）可實現白光發射，光效可達 150 流明 / 瓦（遠超白熾燈的 15 流明 / 瓦）。量子阱結構通過限制載流子運動范圍，將復合效率提升至 80% 以上，倒裝焊技術則降低熱阻，延長壽命至 5 萬小時。Micro-LED 技術將芯片尺寸縮小至 10 微米級，像素密度可達 5000PPI，推動超高清顯示技術發展。寶安區本地二極管歡迎選購齊納二極管通過反向擊穿特性，為精密儀器提供穩定基準電壓，保障測量精度與信號穩定性。

雪崩二極管通過雪崩擊穿效應產生納秒級脈沖，適用于雷達和激光觸發等場景。當反向電壓超過擊穿閾值時，載流子在強電場中高速運動，碰撞電離產生連鎖反應，形成急劇增長的雪崩電流。這一過程可在 10 納秒內產生陡峭的脈沖前沿，例如 2N690 雪崩二極管在 50V 偏置下，能輸出寬度小于 5 納秒、幅度超過 20V 的脈沖，用于激光雷達的時間同步觸發。通過優化結區摻雜分布（如緩變結設計），可控制雪崩擊穿的均勻性，降低脈沖抖動（小于 1 納秒），提升測距精度。

0.66eV 帶隙使鍺二極管導通電壓低至 0.2V，結電容可小至 0.5pF，曾是高頻通信的要點。2AP9 檢波管在 AM 收音機中解調 535-1605kHz 信號時，失真度＜3%，其點接觸型結構通過金絲壓接形成 0.01mm? 的 PN 結，適合處理微安級電流。然而，鍺的熱穩定性差（**高工作溫度 85℃）與 10μA 級別漏電流使其逐漸被淘汰，目前在業余無線電愛好者的 DIY 項目中偶見，如用于礦石收音機的信號檢波。是二極管需要進步突破的方向所在，未來在該領域的探索仍任重道遠。整流橋由多個二極管巧妙組合而成，高效實現全波整流，為設備供應平穩的直流電源。

變容二極管利用反向偏置時 PN 結電容隨電壓變化的特性，實現電調諧功能。當反向電壓增大時，PN 結的耗盡層寬度增加，導致結電容減小，兩者呈非線性關系。例如 BB181 變容二極管在 1-20V 反向電壓下，電容從 25 皮法降至 3 皮法，常用于 FM 收音機調諧電路，覆蓋 88-108MHz 頻段。在 5G 手機中，集成變容二極管的射頻前端可動態調整天線匹配網絡，支持 1-6GHz 頻段切換，提升匹配效率 30%，同時降低 20% 功耗。變容二極管在這方面的發展還需要進一步的探索，以產出更好的產品硅二極管以良好的熱穩定性和較高的反向擊穿電壓，成為眾多電路的可靠選擇。寶安區消費電子二極管報價

光敏二極管將光信號轉電信號，用于光電檢測與通信。寶安區本地二極管歡迎選購

檢波二極管利用 PN 結的非線性伏安特性，從高頻載波中提取低頻信號。當調幅波作用于二極管時，正向導通期間電流隨電壓非線性變化，反向截止時電流為零，經濾波后可分離出調制信號。鍺材料二極管（如 2AP9）因導通電壓低（0.2V）、結電容小，適合解調中波廣播信號（535-1605kHz），失真度低于 5%。混頻則是利用兩個高頻信號在非線性結區產生新頻率分量，例如砷化鎵肖特基二極管在 5G 基站的 28GHz 頻段可實現低損耗混頻，幫助處理毫米波信號，變頻損耗低于 8 分貝。寶安區本地二極管歡迎選購